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Sistema di rilevazione di radiazione infrarossa basato su sensori in silicio amorfo e sue leghe

Sistema di rilevazione di radiazione infrarossa basato su sensori in silicio amorfo e sue leghe

Sistema per la rivelazione di luce infrarossa (IR con lunghezza d'onda lambda>800 nm) con elevata sensibilità. Si basa sulla misura della capacità in strutture opportune realizzate in silicio amorfo, costiuite da una giunzione avente due elettrodi di connessione con l'esterno e realizzabile con le già note tecnologie per deposizione di film sottili. Gli strati p+ e n+ (fig. 1) sono costituiti da materiali fortemente drogati rispettivamente con boro e fosforo. Durante il processo di fabbricazione le temperature sono tali da permettere la realizzazione su diversi substrati. Le tecnologie utilizzate ne consentono la fabbricazione su larga area e la conformazione in matrici bidimensionali ad elevata risoluzione. L'invenzione si colloca nel campo scientifico dell'ottica, in particolare della radiazione infrarossa e può trovare applicazione ove sia necessaria la rilevazione della luce infrarossa.

Inventori
Palma Fabrizio ,Caputo Domenico
Titolare/i
Sapienza 100%
Copertura territoriale
Italia, Danimarca, Belgio, Gran Bretagna, Olanda, USA
Data
06-06-1997
Codice
IT01291926 EP0883194 USA6169284