La Sapienza - Università di Roma

Sistema per la rivelazione di luce infrarossa (IR con lunghezza d'onda lambda>800 nm) con elevata sensibilità. Si basa sulla misura della capacità in strutture opportune realizzate in silicio amorfo, costiuite da una giunzione avente due elettrodi di connessione con l'esterno e realizzabile con le già note tecnologie per deposizione di film sottili. Gli strati p+ e n+ (fig. 1) sono costituiti da materiali fortemente drogati rispettivamente con boro e fosforo. Durante il processo di fabbricazione le temperature sono tali da permettere la realizzazione su diversi substrati. Le tecnologie utilizzate ne consentono la fabbricazione su larga area e la conformazione in matrici bidimensionali ad elevata risoluzione. L'invenzione si colloca nel campo scientifico dell'ottica, in particolare della radiazione infrarossa e può trovare applicazione ove sia necessaria la rilevazione della luce infrarossa.