L'elevato rapporto superficie-volume e la piccola dimensione dei nanofili di silicio (SiNWs) li render candidati interessanti per fabbricare una grande varietà di sensori ultrasensibili. Il brevetto proposto riguarda la possibilità di ottenere processi di crescita a basse temperature (<250°C) compatibili con un substrato costituito da un circuito integrato CMOS, quindi con la possibilità di applicazioni industriali. La disponibilità di una tale tecnologia permetterà l’utilizzo per la produzione di sensori degli attuali processi di fabbricazione di circuiti integrati, processi enormemente diffusi, con alti livelli di produzione, e quindi costi contenuti.